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NE5550979A MOSFET力トランジスターLDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

NE5550979A MOSFET力トランジスターLDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
NE5550979A MOSFET Power Transistor LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A

大画像 :  NE5550979A MOSFET力トランジスターLDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A ベストプライス

商品の詳細:
起源の場所: 日本
ブランド名: RENESAS
モデル番号: NE5550979A-T1-A
お支払配送条件:
最小注文数量: 1 pc
価格: negotiable
パッケージの詳細: テープ及び巻き枠 (TR)
受渡し時間: 1-2 営業日
支払条件: T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力: 98000 PC
詳細製品概要
ハイライト:

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NE5550979A MOSFET力トランジスターLDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A 0製造業者 RENESAS
製造業者部品番号 NE5550979A-T1-A
記述 FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
詳細な説明 RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 900MHz 22dB 38.6dBm 79A
データ用紙 NE5550979A
製品特質  
部門 分離した半導体製品
  トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
製造業者 CEL
シリーズ -
包装 テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態 時代遅れ
トランジスター タイプ LDMOS
頻度 900MHz
利益 22dB
電圧-テスト 7.5V
現在の評価(Amps) 3A
雑音指数 -
現在-テスト 200mA
パワー出力 38.6dBm
評価される電圧- 30V
パッケージ/場合 79A
製造者装置パッケージ 79A
基礎部品番号 NE5550
環境及び輸出分類  
無鉛状態/RoHSの状態 迎合的な無鉛/ROHS3
湿気感受性のレベル(MSL) 1 (無制限)
標準パッケージ 1,000

連絡先の詳細
G-Resource Electronics Co.,Ltd

コンタクトパーソン: Jenny

電話番号: 86-15818536604

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