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パッケージ: | SMA | IR (uA): | 5 |
---|---|---|---|
VF (V): | 0.95 | VRRM (V): | 50 |
IFSM (A): | 30 | Trr (ns): | 35 |
IO (A): | 1 | タイプ: | ES1A |
ハイライト: | 速い回復整流器ダイオード,表面の台紙のダイオード |
ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G ES1JFast Recorveryのダイオードの速いスイッチング・ダイオードDO-214AC SMA
タイプ | パッケージ | VRRM (V) | IO (A) | IFSM (A) | Trr (ns) | VF (V) | IR (uA) |
ES1A | SMA | 50 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1B | SMA | 100つ | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1C | SMA | 150 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1D | SMA | 200 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1E | SMA | 300 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1G | SMA | 400 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1J | SMA | 600 | 1 | 30 | 35 | 1.7 | 5 |
他の項目
ES1A | SMA | 50 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1ABF | SMBF | 100 | 3 | 35 | 35 | 1 | 5 |
ES1AF | SMAF | 50 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1AL | SOD-123FL | 50 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1B | SMA | 100 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1BBF | SMBF | 50 | 3 | 35 | 35 | 1 | 5 |
ES1BF | SMAF | 100 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1BL | SOD-123FL | 100 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1C | SMA | 150 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1CBF | SMBF | 150 | 3 | 35 | 35 | 1 | 5 |
ES1CF | SMAF | 150 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1CL | SOD-123FL | 150 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1D | SMA | 200 | 1 | 30 | 35 | 0.95 | 5 |
ES1DBF | SMBF | 200 | 3 | 35 | 35 | 1 | 5 |
ES1DF | SMAF | 200 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1DL | SOD-123FL | 200 | 1 | 30 | 35 | 1 | 5 |
ES1E | SMA | 300 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1EBF | SMBF | 300 | 3 | 35 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1EF | SMAF | 300 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1EL | SOD-123FL | 300 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1G | SMA | 400 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1GBF | SMBF | 400 | 3 | 35 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1GF | SMAF | 400 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1GL | SOD-123FL | 400 | 1 | 30 | 35 | 1.25 | 5 |
ES1J | SMA | 600 | 1 | 30 | 35 | 1.7 | 5 |
ES1JBF | SMBF | 600 | 3 | 35 | 35 | 1.68 | 5 |
ES1JF | SMAF | 600 | 1 | 30 | 35 | 1.65 | 5 |
ES1JL | SOD-123FL | 600 | 1 | 30 | 35 | 1.68 | 5 |
速い回復ダイオード(FRD)は一種のよいの半導体ダイオードで特徴および、高周波整流器ダイオードのように、切換えの電源、PWMの脈拍幅の変調器、インバーターおよび他の電子回路で主に二次ダイオードまたは弱まるダイオード使用される不足分の逆の回復時間を転換します。速い回復ダイオードの内部構造は通常のp接続点のダイオードと異なっています。それはPINの接続点ダイオードに属します、PINのシリコン チップを形作るためにすなわち、基礎地域Iはpタイプのケイ素材料とnタイプのケイ素材料の間で加えられます。基礎区域が非常に薄く、逆の回復充満が非常に小さいので、速い回復ダイオードの逆の回復時間は不足分です、前方電圧低下は低く、逆の絶縁破壊電圧(抵抗電圧価値)は高いです。
最高の評価および電気特徴
25の°Cの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ、半波、60 Hz、抵抗または
誘導負荷。容量性負荷のために、20%によって流れを軽減して下さい。
コンタクトパーソン: Jenny
電話番号: 86-15818536604